一、產品定位

二、核心標準規格（基礎款）

1. 測溫基礎

• 標準量程：-50 ～ 200℃，分辨率 0.1℃；可定制拓展至 -50～1000℃

• 光譜波段：標準 8～14μm；可定制 3～14μm 適配藍寶石 / 氟化鈣真空窗口

• 發射率補償：0.100～1.200連續可調，適配金屬、塑料、半導體晶圓

2. 測量精度（發射率 = 1.0 條件）

3. 光學視場

4. 響應與采樣

• 采樣周期：0.05s（20Hz）

• 響應時間（95% 穩定值，移動平均 20 次）：≤1.4s

5. 電氣與機械

• 供電：DC5V±5%，功耗≤0.1W

• 本體通訊：半雙工 RS-485（38400bps）

• 尺寸：26 (W) × 72 (D) × 35 (H) mm

• 重量：＜150g，超小型易嵌入設備腔體

• 工作環境：0～55℃，濕度 35%～85% RH（無凝露）

• 認證：CE、FCC

三、選配件：IT-27C 信號轉換器

• 2 通道接入，可同時接 2 臺 IT-270

• 輸出：4～20mA 模擬電流、RS232C

• 供電 DC24V，功耗≤2W，適配 PLC / 工控采集系統

四、核心優勢

1. 批量一致性強

   專用黑體爐逐臺校準，多臺同型號測溫偏差極小，適合半導體多腔體、多點陣列測溫。

2. 抗環境干擾

   自研熱電堆傳感器 + 隔熱結構，大幅抵消環境溫度波動帶來的漂移，真空 / 高低溫設備穩定輸出。

3. 全維度深度定制

   測溫區間、紅外波段、光斑大小、通訊協議、光學窗口適配均可按需修改，匹配 SiC、硅片、鍍膜、真空工藝。

4. 微型低功耗

   體積小巧、發熱量極低，不干擾腔體內部熱場，適配精密半導體設備狹小安裝空間。

五、典型應用場景

1. 半導體：SiC / 硅晶圓真空腔體測溫、薄膜沉積、退火工藝監控

2. 精密工業：鍍膜機、鋰電池涂布、塑料擠出、小型熱處理爐

3. 特種設備：真空腔體、無塵產線、小型精密溫控設備內置測溫